2012年環(huán)境影響評價師《案例分析》重點知識(63)
案例分析$lesson$
一、建設項目與相關產(chǎn)業(yè)政策的相符性分析
"線寬1.2gm以下大規(guī)模集成電路設計制造"列入《產(chǎn)業(yè)結(jié)構調(diào)整指導目錄(2005年本)》中鼓勵類,是當前國家重點鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。2001年11月,國家發(fā)展計劃委員會和科學技術部頒發(fā)的《當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產(chǎn)業(yè)化重點領域指南》第17條規(guī)定,近期產(chǎn)業(yè)化的重點是:以加強集成電路設計為重點,積極支持集成電路設計和整機開發(fā)相結(jié)合,設計開發(fā)市場需求較大的整機產(chǎn)品所需的各種專用集成電路和系統(tǒng)級芯片,線寬0.18gm以下的深亞微米集成電路及配套的IP庫。擴大集成電路生產(chǎn)加工和封裝能力,提高工藝技術水平,擴大產(chǎn)品品種和生產(chǎn)規(guī)模;積極鼓勵國內(nèi)外有經(jīng)濟實力和技術實力的企業(yè)以及投資機構在國內(nèi)建立國際先進水平的集成電路芯片生產(chǎn)線,提高我國集成電路生產(chǎn)技術水平。
原國家經(jīng)濟貿(mào)易委員會、財政部、科學技術部、國家稅務總局《關于印發(fā)<國家產(chǎn)業(yè)技術政策)的通知》(國經(jīng)貿(mào)技術[2002]444號)的"四、重點產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展方向,(一)高新技術及產(chǎn)業(yè)化"中明確:要優(yōu)先發(fā)展深亞微米集成電路。
本項目產(chǎn)品方案為8英寸0.35-0.18gm芯片和12英寸0.13-0.09gm芯片,屬深亞微米集成電路,符合國家產(chǎn)業(yè)政策要求。
二、項目分析
1.工程分析的基本要求和要點
芯片生產(chǎn)的工藝復雜,約有數(shù)百道工序,使用50多種化學原料,其中包括20多種化學危險品。此類工程應給出全廠生產(chǎn)總流程和標示排污節(jié)點的工藝流程圖,并應有原、輔料消耗表。案例中將生產(chǎn)工藝概況為硅片清洗、氧化、光刻、蝕刻、擴散、離子植入、化學氣相沉積、金屬化、后加工等九部分是適宜的。鑒于此類項目須用多種有毒有害化學品,工程分析應作總物料衡算和主要污染因子,如氟、氯平衡。需要注意的是一些生產(chǎn)工藝會被重復多次,污染流程分析中應按照具體工序分別統(tǒng)計污染源和"三廢"排放量。
2.污染源和污染物
(1)廢氣
芯片生產(chǎn)各工序涉及的有毒有害氣態(tài)污染化學物質(zhì)包括:
外延工序--SiH3、SiHCl3、SiH2Cl:、SiCl4、AsH,、B2H6、PH3、HCl、H:
清洗工序--112SO'、H202、HN03、HCI、HF、H3P04、NH4F、NHaOH
光刻工序--異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、C12、BCl,、C:F6、C3F8、CF4、SF6、I-IF、HCl、NO、C3H8、HBr、H,S
化學機械拋光--NH40H、NH4C1、KOH、有機酸鹽
化學氣相沉積--SiH4、SiU:Cl:、SiHCl3、SiCl:、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCl、I-IF、NH9
擴散、離子注入--書F3、AsH,、PH3、H:、Sill4、SiH2C12、BBr3、BCl3、B:1l
金屬化工序:--SiH4、BCl,、AICl,、TiCld、WE6、TiF4、siF4、A1F3、BF3、sF6
對于酸堿廢氣(HF、HCl、H2SO:、HN03、H3P04、C12、NH3)采用濕式洗滌塔處理,凈化效率為95%。
對于特殊氣體(SiH4、PH,、AsH3)采用炭纖維加濕式洗滌塔處理,凈化效率為85%-90%.
對于有機廢氣(VOC)采用沸石濃縮轉(zhuǎn)輪燃燒法處理,凈化效率為95%。
(2)水污染物
芯片生產(chǎn)排放的廢水及處理方法為:
含氟廢水--來源顯影,刻蝕、CMP工序,處理方法為CaCl沉淀法
酸堿廢水--來源清洗工序,處理方法為中和法
純水制備再生廢水--來源活性炭或樹脂及沖洗水,處理方法為中和法
洗滌塔廢水--來源酸、堿噴淋,處理方法為中和法
研磨廢水--來源研磨工序,采用沉淀法處理
生活污水--生化法處理
(3)固體廢物
危險廢物--硫酸廢渣。磷酸廢渣、顯影廢液、異丙醇廢液、硫酸銨廢液、廢有機溶劑、廢光刻膠、污水處理站污泥
一般固體廢物--廢金屬、廢玻璃、廢塑料(有機溶劑容器除外)、廢芯片、可回收包裝材料
生活垃圾
3.清潔生產(chǎn)
目前,國家公布的清潔生產(chǎn)名錄中,尚無集成電路的相關內(nèi)容。環(huán)評中應在國內(nèi)外類比調(diào)查基礎上從生產(chǎn)工藝、原材料、能源消耗等方面論證,用單位產(chǎn)品的物耗、能耗、水耗,污染物產(chǎn)生量和排放量指標量化分析。在原料清潔性評價中以下化學品應不使用或盡量少使用:①含氯的有機溶劑②氟氯烴③高毒化學品。
以下幾個指標應在環(huán)評中關注:
單位產(chǎn)品的原輔材料使用量--磷酸、硝酸、硫酸、鹽酸、氫氟酸、氫氧化銨、光刻膠、顯影劑、丙酮、異丙醇。
單位產(chǎn)品的物耗、能耗指標--新鮮水、高純水、電、大宗工藝氣體、壓縮空氣、蒸汽、冷量
單位產(chǎn)品污染物產(chǎn)生量和排放量--氯化物、HCl、硫酸霧、Cl:、硝酸霧、Sill4、磷酸霧、PH3\AsHl\VOCs、COD、NH、--N、SS、F、AOX、砷、硼、鎢
權威老師主講2012年度環(huán)評師課程 環(huán)評師考試論壇學員交流熱烈討論
最新資訊
- 2024年環(huán)境影響評價師導則與標準真題及考情分析2024-06-10
- 2024環(huán)評師技術方法真題及考情分析2024-06-09
- 2024年環(huán)境影響評價師法律法規(guī)真題與考情分析2024-06-08
- 2024年環(huán)評師考試《環(huán)境影響評價技術案例分析》真題與考情分析2024-06-07
- 2024環(huán)評師備考資料-《環(huán)境影響評價案例分析》考前資料2024-05-13
- 2024環(huán)評師備考資料-《環(huán)境影響評價技術方法》考前資料2024-05-13
- 2024環(huán)評師備考資料-《環(huán)境影響評價技術導則與標準》考前資料2024-05-13
- 2024環(huán)評師備考資料-《環(huán)境影響評價相關法律法規(guī)》考前資料2024-05-13
- 2024環(huán)評師備考策略方法與技巧2023-11-29
- 【雙11預售開啟!】搶百倍膨脹抵扣!購2024環(huán)評好課!2023-10-31