2012年環(huán)境影響評價師《案例分析》重點(diǎn)知識(56)

　　一、項目工程概況與工程分析$lesson$

　　(一)項目背景

　　本項目擬建于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)。擬建設(shè)8英寸(20.32cra)0.35～0.18gm芯片(月投片30000片);12英寸(30.48cm)先進(jìn)制程線，0.13-0.09gm芯片(月投產(chǎn)3000片)。本項目建設(shè)期2年(2002-2003年，實際1.25年)，試生產(chǎn)期2年，達(dá)產(chǎn)期4年，總投資為12.5億美元。

　　(二)項目概況

　　1.項目組成

　　本項目由生產(chǎn)設(shè)施、動力設(shè)施、化學(xué)品設(shè)施、氣體設(shè)施、環(huán)保設(shè)施、安全衛(wèi)生設(shè)施、消防設(shè)施、管理服務(wù)設(shè)施以及相應(yīng)的建筑物組成。芯片項目組成見表1。

　　2. 總平面布置

　　廠區(qū)總平面效果見圖1.

　　二，環(huán)境概況

　　1.地理位置

　　廠址位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)(BDA)41、47號地塊，征地面積240030m2，其中41號地塊面積136754m2、47號地塊面積103 276m'，見圖2。

　　2.環(huán)境質(zhì)量

　　本項目對芯片加工類的特征空氣污染物、地下水特征污染物和土壤特征污染物進(jìn)行了監(jiān)測。環(huán)境空氣監(jiān)測了氟化物、氯化氫、氨氣、氯氣、硫酸霧、非甲烷總烴共6項;地下水環(huán)境監(jiān)測，W、B共2項;土壤監(jiān)測了砷(As)、硼(B)、氟(F)和鎢(W)共4項。通過監(jiān)測結(jié)果可以看出環(huán)境本底較好，沒有超標(biāo)的污染項。

　　3.廠址選擇合理性分析

　　由于中國與發(fā)達(dá)國家相比，在關(guān)鍵技術(shù)如軟件、集成電路和新型元器件等方面相對落后，CPU芯片和存儲器的設(shè)計與制造能力薄弱，電訊、通訊市場將是首先受到入關(guān)沖擊的領(lǐng)域之一。因此，我國的信息產(chǎn)業(yè)政策中有很重要的一條，就是中國鼓勵外資進(jìn)入信息產(chǎn)業(yè)，希望信息產(chǎn)業(yè)的外商投資企業(yè)進(jìn)一步提高技術(shù)檔次，擴(kuò)大投資規(guī)模。深亞微米工藝技術(shù)已是國際上的主流生產(chǎn)技術(shù)，本項目的實施可以推廣在國內(nèi)微電子技術(shù)的升級發(fā)展，提高電子產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)，并會促進(jìn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)走向國際。因此，該項目的性質(zhì)完全符合國家信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和政策。本項目為高科技、高附加值的集成電路行業(yè)，項目地址位于北京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)。在北京市"十五"時期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)布局調(diào)整目標(biāo)中明確指出："北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)：建設(shè)成北京現(xiàn)代制造業(yè)的窗口基地"，該項目的選址符合北京市"十五"時期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)布局，與加速發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向高度是一致的。根據(jù)本項目的規(guī)模，可以確信，本項目是實現(xiàn)北京市"十五"時期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的極其重要的項目之一。

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